芯片質(zhì)量可靠度測(cè)試環(huán)境測(cè)試：質(zhì)量(Qualty)和可靠性(elilty) 在一定程度上可以說(shuō)是IC產(chǎn)品的生命，好的品質(zhì)，長(zhǎng)久的耐力往往就是一顆優(yōu)秀IC產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力所在。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問(wèn)題，驗(yàn)證什么，如何去驗(yàn)證，哪里去驗(yàn)證？

質(zhì)量可靠度是產(chǎn)品以標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)條件下，在特定時(shí)間內(nèi)展現(xiàn)特定功能的能力，可靠度是量測(cè)失效的可能性，失效的比率，以及產(chǎn)品的可修護(hù)性。根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)范以及客戶(hù)的要求，我們可以執(zhí)行MIL-STD, JEDEC, IEC, JESD, AEC, and EIA等不同規(guī)范的可靠度的測(cè)試。

解決了這三個(gè)問(wèn)題，質(zhì)量和可靠性就有了保證，制造商才可以大量地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)，客戶(hù)才可以放心地使用產(chǎn)品。本文將目前較為流行的測(cè)試方法加以簡(jiǎn)單歸類(lèi)和闡述，力求達(dá)到拋磚引玉的作用。

Quallty就是產(chǎn)品性能的測(cè)量，它回答了-一個(gè)產(chǎn)品是否合乎SPEC的要求，是否符合各項(xiàng)性能指標(biāo)的問(wèn)題: Rllillity 則是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量，它回答了一個(gè)產(chǎn)品生命周期有多長(zhǎng)，簡(jiǎn)單說(shuō)，它能用多久的問(wèn)題。所以說(shuō)Quality解決的是現(xiàn)階段的問(wèn)題，Reliailty 解決的是一段時(shí)間以后的問(wèn)題 。

Region (I)被稱(chēng)為早天期(Infancy period)。這個(gè)階段產(chǎn)品的failure rate快速下降，造成失效的原因在于IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中的缺陷:

Region (II)被稱(chēng)為使用期(Useful life period)。在這 個(gè)階段產(chǎn)品的failurerate保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機(jī)的，比如EOS,溫度變化等等;

Region (II)被稱(chēng)為磨耗期(Wear-Out period)。在這個(gè)階段failure rate會(huì)快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長(zhǎng)期使用所造成的老化等。

認(rèn)識(shí)了典型IC產(chǎn)品的生命周期，我們就可以看到，Relibility 的問(wèn)題就是要力圖將處于早天期failure的產(chǎn)品去除并估算其良率，預(yù)計(jì)產(chǎn)品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生產(chǎn)，封裝，存儲(chǔ)等方面出現(xiàn)的問(wèn)題所造成的失效原因。

測(cè)試機(jī)臺(tái)種類(lèi)：
高溫貯存試驗(yàn) (HTST, High Temperature Storage test)
低溫貯存試驗(yàn)(LTST, Low Temperature Storage test)
溫濕度貯存試驗(yàn) (THST, Temperature & Humidity Storage test)
溫濕度偏壓試驗(yàn) (THB, Temperature & Humidity with bias test)
高溫水蒸汽壓力試驗(yàn) (Pressure Cooker test (PCT/UB-HAST)
高加速溫濕度試驗(yàn) (HAST, Highly Accelerated Stress test )
溫度循環(huán)試驗(yàn) (TCT, Temperature Cycling test)
溫度沖擊試驗(yàn) (TST, Thermal Shock test )
高溫壽命試驗(yàn) (HTOL, High Temperature Operation Life test )
高溫偏壓試驗(yàn) (BLT, Bias Life test)

環(huán)境測(cè)試(Environment Test)：
高溫貯存試驗(yàn)(High Temperature Storage Test) : 在高溫的狀態(tài)下,使組件加速老化。可使電氣性能穩(wěn)定,以及偵測(cè)表面與結(jié)合缺陷。
低溫貯存試驗(yàn)(Low Temperature Storage Test) : 在極低的溫度下，利用膨脹收縮造成機(jī)械變型。對(duì)組件結(jié)構(gòu)上造成脆化而引發(fā)的裂痕。
溫濕度貯存試驗(yàn)(Temperature Humidity Storage Test) : 以高溫潮濕的環(huán)境,加速化學(xué)反應(yīng)造成腐蝕現(xiàn)象。測(cè)試組件的抗蝕性。
高溫水蒸汽壓力試驗(yàn)(Pressure Cook Test)/高加速溫濕度試驗(yàn)(High Acclerate Stress Test) : 與溫濕度貯存試驗(yàn)原理相同，不同地方是在加濕過(guò)程中,壓力大于大氣壓力，更加速了腐蝕速度，引發(fā)出封裝不良的產(chǎn)品,內(nèi)部因此而腐蝕。
溫度循環(huán)試驗(yàn)(Temperature Cycling Test) : 使零件冷熱交替幾個(gè)循環(huán)，利用膨脹系數(shù)的差異，造成對(duì)組件的影響。可用來(lái)剔除因晶粒﹑打線(xiàn)及封裝等受溫度變化而失效之零件。
溫度沖擊試驗(yàn)(Thermal shock Test) : 基本上跟溫度循環(huán)試驗(yàn)原理一樣，差異是加快溫度變化速度。測(cè)定電子零件曝露于極端高低溫情況下之抗力,可以偵測(cè)包裝密封﹑晶粒結(jié)合﹑打線(xiàn)結(jié)合﹑基體裂縫等缺陷。
高溫壽命試驗(yàn)(High Temperature Operating Life Test) : 利用高溫及電壓加速的方法，在高溫下加速老化，再外加訊號(hào)進(jìn)去，仿真組件執(zhí)行其功能的狀態(tài)。藉短時(shí)間的實(shí)驗(yàn),來(lái)評(píng)估IC產(chǎn)品的長(zhǎng)時(shí)間操作壽命。
前處里(Precondition Test) 對(duì)零件執(zhí)行功能量測(cè)﹑外觀(guān)檢查﹑超音波掃瞄(SAT) ﹑溫度循環(huán)(Temperature Cycling ) ﹑烘烤(Bake )浸濕( Moisture Soak )等程序。仿真組件在開(kāi)始使用前所經(jīng)歷的運(yùn)輸、儲(chǔ)存、回焊等變化做為其它可靠性試驗(yàn)之前置處理。

運(yùn)送測(cè)試(Transportation Test)：
震動(dòng)測(cè)試(Vibration Test)：仿真地面運(yùn)輸或產(chǎn)品操作使用時(shí),所產(chǎn)生的震動(dòng)環(huán)境。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷，經(jīng)由震動(dòng)行為加速缺陷的劣化狀況，進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。
機(jī)械沖擊測(cè)試(Mechanical Shock Test)：將試件在一定的高度上,沿斜滑軌下滑與底部的障礙物相撞,而產(chǎn)生沖擊。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷，經(jīng)由沖擊行為加速缺陷的劣化狀況，進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。
落下測(cè)試(Drop Test)：把裝有試件的工作臺(tái)上升到一定高度,突然釋放而跌落,與底部的鋼板或水泥板相撞而發(fā)生沖擊。評(píng)估產(chǎn)品因?yàn)榈洌诎踩珬l件需求下蕞小的強(qiáng)韌性。